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FDB7030BL

FDB7030BL

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB7030BL  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 60A TO-263AB, 整卷

N-Channel 30V 60A Ta 60W Tc Surface Mount TO-263AB


得捷:
60A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL,


立创商城:
N沟道 30V 60A


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
FDB7030BL 系列 30 V 9 mOhms N 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet TO-263AB


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB7030BL  MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1.9 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB


FDB7030BL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 60.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.009 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 65 W

阈值电压 1.9 V

输入电容 1.76 nF

栅电荷 17.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 1760pF @15VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 19 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDB7030BL引脚图与封装图
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在线购买FDB7030BL
型号 制造商 描述 购买
FDB7030BL Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB7030BL  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 60A TO-263AB, 整卷 搜索库存
替代型号FDB7030BL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FDB7030BL

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： TO-263 N-Channel 30V 60A 9mohms 1.76nF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB7030BL  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 60A TO-263AB, 整卷

当前型号

型号： IRF3707ZSPBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 30V 59A

功能相似

INFINEON  IRF3707ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 1.8 V

FDB7030BL和IRF3707ZSPBF的区别

型号： STB95N3LLH6

品牌： 意法半导体

封装： D2PAK N-Channel 30V 80A

功能相似

N 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。

FDB7030BL和STB95N3LLH6的区别

型号： FDB7030BL_NL

品牌： 飞兆/仙童

封装：

功能相似

N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

FDB7030BL和FDB7030BL_NL的区别