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FDMA420NZ
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMA420NZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 20 V, 16.8 mohm, 4.5 V, 830 mV

The is a single N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process to optimize the RDS ON at VGS=2.5V on special MicroFET lead-frame. It is suitable for use in Li-ion battery pack.

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Halogen-free
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>2.5kV Typical HBM ESD protection level
FDMA420NZ中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 16.8 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.4 W

阈值电压 830 mV

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

连续漏极电流Ids 5.70 A

上升时间 8.6 ns

输入电容Ciss 935pF @10VVds

额定功率Max 2.4 W

下降时间 8.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WDFN-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 2 mm

高度 0.75 mm

封装 WDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDMA420NZ引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDMA420NZ Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMA420NZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 20 V, 16.8 mohm, 4.5 V, 830 mV 搜索库存
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型号: FDMA420NZ

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: uFET N-Channel 20V 5.7A 30mohms

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMA420NZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 20 V, 16.8 mohm, 4.5 V, 830 mV

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