FDB44N25TM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB44N25TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 250 V
额定电流 44.0 A
额定功率 307 W
针脚数 2
漏源极电阻 0.058 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 307 W
阈值电压 5 V
输入电容 2.87 nF
栅电荷 61.0 nC
漏源极电压Vds 250 V
栅源击穿电压 250 V
连续漏极电流Ids 44.0 A
上升时间 400 ns
输入电容Ciss 2870pF @25VVds
额定功率Max 307 W
下降时间 115 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 307 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDB44N25TM引脚图与封装图
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在线购买FDB44N25TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB44N25TM | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB44N25TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 250 V, 0.058 ohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号FDB44N25TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDB44N25TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： D2PAK N-Channel 250V 44A 58mohms 2.87nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB44N25TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 250 V, 0.058 ohm, 10 V, 5 V | 当前型号 |
| 型号： STB50N25M5 品牌： 意法半导体 封装： TO-263-3 N-Channel 14A | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FDB44N25TM和STB50N25M5的区别 |