FDMA430NZ
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDMA430NZ中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.0236 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 900 mW
阈值电压 810 mV
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 7.1 ns
输入电容Ciss 800pF @10VVds
额定功率Max 2.4 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.4W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WDFN-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 2 mm
高度 0.75 mm
封装 WDFN-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDMA430NZ引脚图与封装图
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在线购买FDMA430NZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDMA430NZ | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA430NZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.0236 ohm, 4.5 V, 810 mV | 搜索库存 |
替代型号FDMA430NZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDMA430NZ 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： uFET N-Channel 30V 5A 40mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA430NZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.0236 ohm, 4.5 V, 810 mV | 当前型号 |
| 型号： IRLHS6342TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 30V 8.7A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | FDMA430NZ和IRLHS6342TRPBF的区别 |