FDD8445
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD8445中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0067 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 79 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 15.2 A
上升时间 82 ns
输入电容Ciss 4050pF @25VVds
额定功率Max 79 W
下降时间 9.6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 79W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDD8445引脚图与封装图
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在线购买FDD8445
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD8445 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8445 晶体管, MOSFET, N沟道, 15.2 A, 40 V, 6.7 mohm, 10 V, 2.8 V | 搜索库存 |
替代型号FDD8445
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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