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FDMA1029PZ

FDMA1029PZ

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMA1029PZ  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3.1 A, -20 V, 0.06 ohm, -1 V, 1 V

PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET, Semiconductor

PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。

最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。

PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。


欧时:
Fairchild Semiconductor 双 P沟道 MOSFET 晶体管 FDMA1029PZ, 3.1 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装


贸泽:
MOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin MicroFET EP T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin MicroFET T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin MicroFET EP T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMA1029PZ  Dual MOSFET, Dual P Channel, -3.1 A, -20 V, 95 mohm, -1 V, 12 V


Win Source:
MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MICROFET


DeviceMart:
IC MOSFET P-CH DUAL MICROFET 2X2


FDMA1029PZ中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -3.10 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.06 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.4 W

阈值电压 12 V

输入电容 540 pF

栅电荷 10.0 nC

漏源极电压Vds 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 3.10 A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 540pF @10VVds

额定功率Max 700 mW

下降时间 36 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WDFN-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 2 mm

高度 0.75 mm

封装 WDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDMA1029PZ引脚图与封装图
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在线购买FDMA1029PZ
型号 制造商 描述 购买
FDMA1029PZ Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMA1029PZ  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3.1 A, -20 V, 0.06 ohm, -1 V, 1 V 搜索库存
替代型号FDMA1029PZ
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDMA1029PZ

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: uFET P-Channel 20V 3.1A 60mohms 540pF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMA1029PZ  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3.1 A, -20 V, 0.06 ohm, -1 V, 1 V

当前型号

型号: FDMA1027PT

品牌: 飞兆/仙童

封装: uFET Dual P-Channel 20V 3A

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