FDS8984
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS8984中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 7.00 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.019 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 1.7 V
输入电容 635 pF
栅电荷 13.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 7.00 mA
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 635pF @15VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
FDS8984引脚图与封装图
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在线购买FDS8984
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS8984 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8984 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.7 V | 搜索库存 |
替代型号FDS8984
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS8984 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC Dual N-Channel 30V 7mA 19mohms 635pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8984 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.7 V | 当前型号 |
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