FDD7N20TM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD7N20TM中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.58 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 43 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 5A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 250pF @25VVds
额定功率Max 43 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 43 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDD7N20TM引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDD7N20TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD7N20TM | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD7N20TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 0.58 ohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号FDD7N20TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD7N20TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252AA N-Channel 200V 5A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD7N20TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 0.58 ohm, 10 V, 5 V | 当前型号 |
| 型号： FQD7N20TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 200V 5.3A 690mohms | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 200V 5.3A 3Pin2+Tab DPAK T/R | FDD7N20TM和FQD7N20TM的区别 |
| 型号： BSP297L6327 品牌： 英飞凌 封装： SOT-223 N-Channel 60V 200mA 45pF | 功能相似 | Mosfet n-Ch 200V 660mA Sot-223 - Bsp297 L6327 | FDD7N20TM和BSP297L6327的区别 |
| 型号： 2SK216 品牌： 瑞萨电子 封装： TO-220AB N-CH 200V 0.5A | 功能相似 | 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET | FDD7N20TM和2SK216的区别 |