FDP100N10
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP100N10中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0082 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 208 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 75A
上升时间 265 ns
输入电容Ciss 7300pF @25VVds
额定功率Max 208 W
下降时间 115 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDP100N10引脚图与封装图
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在线购买FDP100N10
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP100N10 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP100N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 0.0082 ohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |
替代型号FDP100N10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDP100N10 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220AB N-Channel 100V 75A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP100N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 0.0082 ohm, 10 V, 2.5 V | 当前型号 |
| 型号： IRFB4710PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 100V 75A | 功能相似 | INFINEON IRFB4710PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 5.5 V | FDP100N10和IRFB4710PBF的区别 |
| 型号： SUP85N10-10-E3 品牌： 威世 封装： TO-220-3 N-CH 100V 85A 10.5mΩ | 功能相似 | N沟道 100V 85A | FDP100N10和SUP85N10-10-E3的区别 |