FDS3572
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS3572中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 8.90 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.014 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 4 V
输入电容 1.99 nF
栅电荷 31.0 nC
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 8.90 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1990pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS3572引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDS3572
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS3572 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS3572.. 场效应管, MOSFET, N沟道 | 搜索库存 |
替代型号FDS3572
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS3572 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 80V 8.9A 16mohms 1.99nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS3572.. 场效应管, MOSFET, N沟道 | 当前型号 |
| 型号： FDS3572_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | N沟道 80V 8.9A | FDS3572和FDS3572_NL的区别 |