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FDR6674A
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDR6674A中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 11.5 A

漏源极电阻 8.20 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.8W Ta

输入电容 5.07 nF

栅电荷 33.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 11.5 A

上升时间 18.0 ns

输入电容Ciss 5070pF @15VVds

额定功率Max 900 mW

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDR6674A引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDR6674A Fairchild 飞兆/仙童 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET 搜索库存