FDS3692
数据手册.pdfFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS3692 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 100 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V
UltraFET® MOSFET， Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。
应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
欧时:
### UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
FDS3692 系列 100 V 60 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet SOIC-8
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.8A; 2.5W; SO8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS3692 MOSFET Transistor, N Channel, 4.5 A, 100 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO