FDP025N06
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP025N06中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0019 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 395 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 265A
上升时间 324 ns
输入电容Ciss 14885pF @25VVds
额定功率Max 395 W
下降时间 250 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 395W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 15.38 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDP025N06引脚图与封装图
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在线购买FDP025N06
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP025N06 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP025N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0019 ohm, 10 V, 3.5 V | 搜索库存 |
替代型号FDP025N06
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDP025N06 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 60V 265A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP025N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0019 ohm, 10 V, 3.5 V | 当前型号 |
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| 型号： STP260N6F6 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 120A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP260N6F6 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0024 ohm, 10 V, 2 V | FDP025N06和STP260N6F6的区别 |
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