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FDS2672
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS2672  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 200 V, 0.059 ohm, 10 V, 2.9 V

汽车 N 通道 MOSFET, Semiconductor

Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。

### MOSFET ,Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDS2672中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 3.90 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.059 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 2.9 V

输入电容 2.54 nF

栅电荷 46.0 nC

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 3.90 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 2535pF @100VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDS2672引脚图与封装图
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FDS2672 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS2672  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 200 V, 0.059 ohm, 10 V, 2.9 V 搜索库存