FDS8949
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS8949中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 6.00 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.021 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 1.9 V
输入电容 955 pF
栅电荷 11.0 nC
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 5.00 ns
输入电容Ciss 955pF @20VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS8949引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDS8949
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS8949 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8949 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 40 V, 29 mohm, 10 V, 1.9 V | 搜索库存 |
替代型号FDS8949
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS8949 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 40V 6A 21mohms 955pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8949 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 40 V, 29 mohm, 10 V, 1.9 V | 当前型号 |
| 型号： FDS8949_F085 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC Dual N-Channel 40V 6A | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8949_F085 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 40 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V | FDS8949和FDS8949_F085的区别 |