FDS2582
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS2582中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 150 V
额定电流 4.10 A
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.057 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 4 V
输入电容 1.29 nF
栅电荷 19.0 nC
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 4.10 A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 1290pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS2582引脚图与封装图
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在线购买FDS2582
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS2582 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS2582 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.1 A, 150 V, 0.057 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号FDS2582
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS2582 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 150V 4.1A 57mohms 1.29nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS2582 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.1 A, 150 V, 0.057 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： SI4848DY-T1-GE3 品牌： 威世 封装： 8-SOIC N-Channel 150V 2.7A 85mΩ | 功能相似 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 150 V, 0.068 ohm, 10 V, 2 V | FDS2582和SI4848DY-T1-GE3的区别 |
| 型号： FDS2582_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | SOIC N-CH 150V 4.1A | FDS2582和FDS2582_NL的区别 |