FQT13N06TF
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQT13N06TF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 2.80 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.11 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.1 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 2.80 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 310pF @25VVds
额定功率Max 2.1 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.56 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQT13N06TF引脚图与封装图
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在线购买FQT13N06TF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQT13N06TF | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT13N06TF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 60 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号FQT13N06TF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQT13N06TF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-223 N-Channel 60V 2.8A 140mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT13N06TF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 60 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： FQT13N06LTF 品牌： 安森美 封装： SOT-223 | 功能相似 | ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT13N06LTF, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装 | FQT13N06TF和FQT13N06LTF的区别 |