FQT4N25TF
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQT4N25TF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 250 V
额定电流 830 mA
针脚数 3
漏源极电阻 1.38 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 830 mA
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 200pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQT4N25TF引脚图与封装图
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在线购买FQT4N25TF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQT4N25TF | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT4N25TF 晶体管, MOSFET, N沟道, 830 mA, 250 V, 1.38 ohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号FQT4N25TF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQT4N25TF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-223 N-Channel 250V 830mA 1.75ohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT4N25TF 晶体管, MOSFET, N沟道, 830 mA, 250 V, 1.38 ohm, 10 V, 5 V | 当前型号 |
| 型号： FQT4N25 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET | FQT4N25TF和FQT4N25的区别 |