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FQT4N20LTF

FQT4N20LTF

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT4N20LTF  晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 2 V

The is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction PFC and electronic lamp ballasts.

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Low level gate drive requirements allowing direct operation from logic drives
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100% Avalanche tested
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4nC Typical low gate charge
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6pF Typical low Crss
FQT4N20LTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 850 mA

针脚数 3

漏源极电阻 1.1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.2 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 850 mA

上升时间 70 ns

输入电容Ciss 310pF @25VVds

额定功率Max 2.2 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.56 mm

高度 1.6 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQT4N20LTF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FQT4N20LTF Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT4N20LTF  晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 2 V 搜索库存
替代型号FQT4N20LTF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FQT4N20LTF

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-223 N-Channel 200V 850mA 1.35ohms

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT4N20LTF  晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 2 V

当前型号

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