FQB4N80TM
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Fairchild
飞兆/仙童
晶体管
FQB4N80TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 3.90 A
针脚数 3
漏源极电阻 2.8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 130 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.90 A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 880pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 130W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQB4N80TM引脚图与封装图
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在线购买FQB4N80TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB4N80TM | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB4N80TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 800 V, 2.8 ohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号FQB4N80TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB4N80TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 800V 3.9A 3.6ohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB4N80TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 800 V, 2.8 ohm, 10 V, 5 V | 当前型号 |
| 型号： FQB4N80 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET | FQB4N80TM和FQB4N80的区别 |