FQPF8N60C
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF8N60C中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 7.50 A
漏源极电阻 1.20 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 48 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 7.50 A
上升时间 60.5 ns
输入电容Ciss 1255pF @25VVds
额定功率Max 48 W
下降时间 64.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 48W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.16 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.19 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2013/06/20
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
FQPF8N60C引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQPF8N60C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQPF8N60C 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-Channel 600V 7.5A 1.2ohms | 当前型号 | 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQPF8N60C和STP55NF06的区别 |
| 型号： STP6NK60ZFP 品牌： 意法半导体 封装： TO-220FP N-Channel 600V 6A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP6NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V | FQPF8N60C和STP6NK60ZFP的区别 |
| 型号： STD18N55M5 品牌： 意法半导体 封装： DPAK N-Channel 550V 16A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V | FQPF8N60C和STD18N55M5的区别 |