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FQB33N10TM

FQB33N10TM

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Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

The is a 100V N-channel QFET® MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications.

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Low gate charge typical 38nC
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Low Crss typical 62pF
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100% Avalanche tested
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±25V Gate source voltage
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40°C/W Thermal resistance, junction to ambient
.
1.18°C/W Thermal resistance, junction to case
FQB33N10TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 33.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.04 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 127 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 33.0 A

上升时间 195 ns

输入电容Ciss 1500pF @25VVds

额定功率Max 3.75 W

下降时间 110 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.75 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQB33N10TM引脚图与封装图
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在线购买FQB33N10TM
型号 制造商 描述 购买
FQB33N10TM Fairchild 飞兆/仙童 QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存
替代型号FQB33N10TM
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FQB33N10TM

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： TO-263 N-Channel 100V 33A 52mohms

当前型号

QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

当前型号

型号： STB30NF10T4

品牌： 意法半导体

封装： TO-263 N-Channel 100V 15A 38mohms

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB30NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 100 V, 38 mohm, 10 V, 3 V

FQB33N10TM和STB30NF10T4的区别

型号： STB35NF10T4

品牌： 意法半导体

封装： TO-252-3 N-Channel 100V 40A 35mohms

功能相似

N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

FQB33N10TM和STB35NF10T4的区别

型号： FQB33N10

品牌： 飞兆/仙童

封装：

功能相似

100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET

FQB33N10TM和FQB33N10的区别