FQT7N10LTF
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQT7N10LTF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 1.70 A
针脚数 4
漏源极电阻 275 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2 V
输入电容 220 pF
栅电荷 4.60 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 1.70 A, 1.70 mA
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 290pF @25VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.56 mm
高度 1.6 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQT7N10LTF引脚图与封装图
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在线购买FQT7N10LTF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQT7N10LTF | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT7N10LTF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 100 V, 275 mohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
替代型号FQT7N10LTF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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