FDG6301N_F085
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDG6301N_F085中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 0.3 W
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 0.22A
上升时间 4.5 ns
输入电容Ciss 9.5pF @10VVds
额定功率Max 300 mW
下降时间 3.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDG6301N_F085引脚图与封装图
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在线购买FDG6301N_F085
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDG6301N_F085 | Fairchild 飞兆/仙童 | N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDG6301N_F085
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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