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FJX3002RTF

FJX3002RTF

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

特性•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=10KΩ,R2=10KΩ)•FJX4002R的补充

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 10KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 30 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor R1=10KΩ, R2=10KΩ • Complement to FJX4002R 描述与应用| 特性 •开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路 •内置偏置电阻(R1=10KΩ,R2=10KΩ) •FJX4002R的补充

FJX3002RTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 30

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FJX3002RTF引脚图与封装图
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在线购买FJX3002RTF
型号 制造商 描述 购买
FJX3002RTF Fairchild 飞兆/仙童 特性•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=10KΩ,R2=10KΩ)•FJX4002R的补充 搜索库存
替代型号FJX3002RTF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FJX3002RTF

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-323 NPN 50V 100mA 200mW

当前型号

特性•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=10KΩ,R2=10KΩ)•FJX4002R的补充

当前型号

型号: DDTC114EUA-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-323 NPN 50V 100mA 200mW

完全替代

特性外延平面电路小片建设互补PNP类型有(DDTA)内置偏置电阻R1= R2无铅/ RoHS标准

FJX3002RTF和DDTC114EUA-7-F的区别

型号: MUN5211T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-323 NPN 50V 100mA 310mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MUN5211T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323

FJX3002RTF和MUN5211T1G的区别

型号: PDTC114EU,115

品牌: 恩智浦

封装: SC-70 NPN 200mW

功能相似

NXP  PDTC114EU,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE

FJX3002RTF和PDTC114EU,115的区别