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FDY301NZ
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDY301NZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 5 ohm, 4.5 V, 1.5 V

The is a single N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process to optimize the RDS ON at VGS = 2.5V. It is suitable for Li-ion battery pack application.

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ESD protection diode

得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI


贸泽:
MOSFET 20V Sgl N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SOT-523F T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R


富昌:
FDY301NZ 系列 20 V 5 Ohm N沟道 指定 PowerTrench Mosfet - SC89-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.2A; 0.625W; SOT523


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SOT-523F T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDY301NZ  MOSFET Transistor, N Channel, 200 mA, 20 V, 5 ohm, 4.5 V, 1.5 V


Online Components:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89


FDY301NZ中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 625 mW

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 200 mA

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 60pF @10VVds

额定功率Max 446 mW

下降时间 2.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-89-6

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 0.98 mm

高度 0.78 mm

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDY301NZ引脚图与封装图
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在线购买FDY301NZ
型号 制造商 描述 购买
FDY301NZ Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDY301NZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 5 ohm, 4.5 V, 1.5 V 搜索库存