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FM25C160B-G

FM25C160B-G

数据手册.pdf

CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM25C160B-G  芯片, 存储器, FRAM, 16K, SPI, 8SOIC

F-RAM,

铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。

非易失性铁电 RAM 存储器

快写入速度

高耐受性

低功耗

### FRAM(铁电 RAM)

FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。


立创商城:
FM25C160B-G


欧时:
Cypress Semiconductor FM25C160B-G 16kbit SPI FRAM 存储器, 2K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, -40 → +85 °C


e络盟:
芯片, 存储器, FRAM, 16K, SPI, 8SOIC


艾睿:
FRAM 16Kbit Serial-SPI Interface 5V Automotive 8-Pin SOIC N Tube


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NVRAM FRAM Serial-SPI 16K-Bit 5V 8-Pin SOIC


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NVRAM FRAM Serial-SPI 16K-Bit 5V 8-Pin SOIC


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FRAM 16Kbit Serial-SPI Interface 5V Automotive 8-Pin SOIC Tube


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# CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM25C160B-G  FRAM, 16K, SPI, 8SOIC


Win Source:
IC FRAM 16KBIT 20MHZ 8SOIC


FM25C160B-G中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.50V min

供电电流 4 mA

针脚数 8

时钟频率 20 MHz

内存容量 2000 B

存取时间Max 20 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Each

制造应用 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

FM25C160B-G引脚图与封装图
FM25C160B-G引脚图

FM25C160B-G引脚图

FM25C160B-G封装图

FM25C160B-G封装图

FM25C160B-G封装焊盘图

FM25C160B-G封装焊盘图

在线购买FM25C160B-G
型号 制造商 描述 购买
FM25C160B-G Cypress Semiconductor 赛普拉斯 CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM25C160B-G  芯片, 存储器, FRAM, 16K, SPI, 8SOIC 搜索库存
替代型号FM25C160B-G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FM25C160B-G

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: SOIC 2000B 4.5V 8Pin

当前型号

CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM25C160B-G  芯片, 存储器, FRAM, 16K, SPI, 8SOIC

当前型号

型号: FM25C160B-GTR

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

完全替代

FM25C160B 系列 16 Kb 2K x 8 5 V 表面贴装 SPI F-RAM 存储器 - SOIC-8

FM25C160B-G和FM25C160B-GTR的区别