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FDY100PZ
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDY100PZ  晶体管, MOSFET, P沟道, 350 mA, -20 V, 0.5 ohm, -4.5 V, -1 V

The is a single P-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process to optimize the RDS ON at VGS = - 2.5V. It is suitable for Li-ion battery pack application.

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ESD protection diode

得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI


欧时:
### PowerTrench® P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SOT-523F T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R


富昌:
FDY1002PZ Series 20 V 0.83 A 0.5 Ohm Dual P-Ch PowerTrench® MOSFET -SC-89-6


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.35A; 0.625W; SOT523


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SOT-523F T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDY100PZ  MOSFET Transistor, P Channel, -350 mA, -20 V, 0.5 ohm, -4.5 V, -1 V


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89


FDY100PZ中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.5 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 625 mW

漏源极电压Vds 20 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 350 mA

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 100pF @10VVds

额定功率Max 446 mW

下降时间 1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-89-3

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 0.98 mm

高度 0.78 mm

封装 SC-89-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDY100PZ引脚图与封装图
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在线购买FDY100PZ
型号 制造商 描述 购买
FDY100PZ Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDY100PZ  晶体管, MOSFET, P沟道, 350 mA, -20 V, 0.5 ohm, -4.5 V, -1 V 搜索库存