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FM25V05-G

F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。

F-RAM,

铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。

非易失性铁电 RAM 存储器

快写入速度

高耐受性

低功耗

### FRAM(铁电 RAM)

FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。


得捷:
IC FRAM 512KBIT SPI 40MHZ 8SOIC


立创商城:
FM25V05-G


欧时:
### F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。


贸泽:
F-RAM 512K 64KX8 3.3V F-RAM


e络盟:
铁电存储器FRAM, 512 Kbit64K x 8SPI, 40 MHz, 2 V至3.6 V电源, SOIC-8


艾睿:
NVRAM FRAM Serial-SPI 512Kbit 3V/3.3V Automotive 8-Pin SOIC


安富利:
NVRAM FRAM Serial-SPI 512K-Bit 3V/3.3V 8-Pin SOIC


Chip1Stop:
NVRAM FRAM Serial-SPI 512Kbit 3V/3.3V Automotive 8-Pin SOIC


Verical:
NVRAM FRAM Serial-SPI 512Kbit 3V/3.3V Automotive 8-Pin SOIC


Win Source:
IC FRAM 512KBIT 40MHZ 8SOIC


FM25V05-G中文资料参数规格
技术参数

供电电流 3 mA

针脚数 8

时钟频率 40 MHz

存取时间Max 9 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.98 mm

宽度 3.987 mm

高度 1.478 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FM25V05-G引脚图与封装图
FM25V05-G引脚图

FM25V05-G引脚图

FM25V05-G封装图

FM25V05-G封装图

FM25V05-G封装焊盘图

FM25V05-G封装焊盘图

在线购买FM25V05-G
型号 制造商 描述 购买
FM25V05-G Cypress Semiconductor 赛普拉斯 F-RAM,Cypress Semiconductor ### FRAM(铁电 RAM) FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。 搜索库存
替代型号FM25V05-G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FM25V05-G

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: FBGA

当前型号

F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。

当前型号

型号: FM25V05-GTR

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

完全替代

512Kb串行SPI,3V,F-RAM存储器

FM25V05-G和FM25V05-GTR的区别

型号: FM18W08-SG

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA 32000B 28Pin

功能相似

F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。

FM25V05-G和FM18W08-SG的区别

型号: FM16W08-SG

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

功能相似

FM16W08 系列 64 Kb 8K x 8 5 V 120 ns 并行 F-RAM 存储器 - SOIC-28

FM25V05-G和FM16W08-SG的区别