FM28V020-SG

F-RAM，Cypress Semiconductor### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。

F-RAM，

铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。

非易失性铁电 RAM 存储器

快写入速度

高耐受性

低功耗

### FRAM（铁电 RAM）

FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。

得捷:
IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC

立创商城:
FM28V020-SG

欧时:
### F-RAM，Cypress Semiconductor### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。

e络盟:
铁电存储器FRAM, 256 Kbit32K x 8并行, 15 MHz, 2 V至3.6 V电源, SOIC-28

艾睿:
FRAM 256Kbit Parallel Interface 3.3V 28-Pin SOIC Tube

安富利:
NVRAM FRAM Parallel 256K-Bit 3.3V 28-Pin SOIC

Chip1Stop:
NVRAM FRAM Parallel 256Kbit 3.3V 28-Pin SOIC

TME:
Memory; FRAM; parallel 8bit; 32kx8bit; 256kbit; 2÷3.6VDC; 70ns

Verical:
FRAM 256Kbit Parallel Interface 3.3V 28-Pin SOIC Tube

Win Source:
IC FRAM 256KBIT 70NS 28SOIC