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FJNS3201RTA

FJNS3201RTA

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

1个NPN-预偏置 100mA 50V

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92S


得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Epitaxial


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-92S Ammo


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-92S Ammo


FJNS3201RTA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 20 @10mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 20

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4 mm

宽度 2.31 mm

高度 3.7 mm

封装 TO-226-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FJNS3201RTA引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FJNS3201RTA Fairchild 飞兆/仙童 1个NPN-预偏置 100mA 50V 搜索库存
替代型号FJNS3201RTA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FJNS3201RTA

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO92 NPN 50V 100mA 300mW

当前型号

1个NPN-预偏置 100mA 50V

当前型号

型号: FJNS3201RBU

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-226-3 NPN 300mW

完全替代

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin TO-92S Bulk

FJNS3201RTA和FJNS3201RBU的区别