极性 PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
高度 3.7 mm
封装 TO-226-3
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FJNS4205RTA | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3Pin TO-92S Ammo | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FJNS4205RTA 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92S PNP 300mW | 当前型号 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3Pin TO-92S Ammo | 当前型号 | |
型号: FJNS4205RBU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-226-3 PNP 300mW | 类似代替 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3Pin TO-92S Bulk | FJNS4205RTA和FJNS4205RBU的区别 | |
型号: FJV4105RMTF 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 PNP -50V -100mA 200mW | 功能相似 | 特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=4.7KΩ,R2=10KΩ)•到FJV3103R补 | FJNS4205RTA和FJV4105RMTF的区别 | |
型号: FJY4005R 品牌: 飞兆/仙童 封装: SC-89 PNP -50V -100mA 200mW | 功能相似 | PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor | FJNS4205RTA和FJY4005R的区别 |