锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FJV4105RMTF

FJV4105RMTF

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=4.7KΩ,R2=10KΩ)•到FJV3103R补

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 4.7KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 10KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 0.47 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 30 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features • Switching Application Bias Resistor Built In • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor R1=4.7KΩ, R2=10KΩ • Complement to FJV3105R 描述与应用| 特点 •开关应用(偏置电阻内置) •开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路 •内置偏置电阻(R1=4.7KΩ,R2=10KΩ) •到FJV3103R补

FJV4105RMTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FJV4105RMTF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FJV4105RMTF
型号 制造商 描述 购买
FJV4105RMTF Fairchild 飞兆/仙童 特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=4.7KΩ,R2=10KΩ)•到FJV3103R补 搜索库存
替代型号FJV4105RMTF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FJV4105RMTF

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 PNP -50V -100mA 200mW

当前型号

特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=4.7KΩ,R2=10KΩ)•到FJV3103R补

当前型号

型号: FJY4005R

品牌: 飞兆/仙童

封装: SC-89 PNP -50V -100mA 200mW

完全替代

PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor

FJV4105RMTF和FJY4005R的区别

型号: RN2401TE85L,F

品牌: 东芝

封装: S-Mini PNP 200mW

类似代替

S-Mini PNP 50V 100mA

FJV4105RMTF和RN2401TE85L,F的区别

型号: PDTA143XT,215

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 PNP 250mW

功能相似

NXP  PDTA143XT,215  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 50 hFE

FJV4105RMTF和PDTA143XT,215的区别