FJN4305RBU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FJN4305RBU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 30
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FJN4305RBU引脚图与封装图
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在线购买FJN4305RBU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FJN4305RBU | Fairchild 飞兆/仙童 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/4.7K 10K | 搜索库存 |
替代型号FJN4305RBU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FJN4305RBU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -50V -100mA 300mW | 当前型号 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/4.7K 10K | 当前型号 |
| 型号： FJN4305RTA 品牌： 安森美 封装： TO-92-3 300mW | 功能相似 | ON Semiconductor FJN4305RTA PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.47, 3引脚 TO-92封装 | FJN4305RBU和FJN4305RTA的区别 |