FJN3310RTA
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FJN3310RTA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FJN3310RTA引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FJN3310RTA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FJN3310RTA | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 预偏置 NPN Si Transistor Epitaxial | 搜索库存 |
替代型号FJN3310RTA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FJN3310RTA 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 40V 100mA 300mW | 当前型号 | 双极晶体管 - 预偏置 NPN Si Transistor Epitaxial | 当前型号 |
| 型号： FJN3310RBU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 40V 100mA 300mW | 完全替代 | 1个NPN-预偏置 100mA 40V | FJN3310RTA和FJN3310RBU的区别 |