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FJN3309RTA

FJN3309RTA

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

1个NPN-预偏置 100mA 40V

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3


得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 40V 100mA 3-Pin TO-92 Ammo


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 40V 100mA 3-Pin TO-92 Ammo


FJN3309RTA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FJN3309RTA引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FJN3309RTA Fairchild 飞兆/仙童 1个NPN-预偏置 100mA 40V 搜索库存
替代型号FJN3309RTA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FJN3309RTA

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-92 NPN 40V 100mA 300mW

当前型号

1个NPN-预偏置 100mA 40V

当前型号