FJN4302RBU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FJN4302RBU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 30
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FJN4302RBU引脚图与封装图
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在线购买FJN4302RBU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FJN4302RBU | Fairchild 飞兆/仙童 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/10K 10K | 搜索库存 |
替代型号FJN4302RBU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FJN4302RBU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -50V -100mA 300mW | 当前型号 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/10K 10K | 当前型号 |
| 型号： FJN4302RTA 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -50V -100mA 300mW | 完全替代 | Fairchild Semiconductor### 数字晶体管，Fairchild Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | FJN4302RBU和FJN4302RTA的区别 |
| 型号： FJN4302RTA_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | PNP Epitaxial Silicon Transistor | FJN4302RBU和FJN4302RTA_NL的区别 |