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FJN4303RBU

FJN4303RBU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

1个PNP-预偏置 100mA 50V

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3


得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin TO-92 Bulk


FJN4303RBU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FJN4303RBU引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FJN4303RBU Fairchild 飞兆/仙童 1个PNP-预偏置 100mA 50V 搜索库存
替代型号FJN4303RBU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FJN4303RBU

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-92 PNP -50V -100mA 300mW

当前型号

1个PNP-预偏置 100mA 50V

当前型号

型号: FJN4303RTA

品牌: 安森美

封装: TO-92-3 300mW

功能相似

ON Semiconductor FJN4303RTA PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 TO-92封装

FJN4303RBU和FJN4303RTA的区别