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FPNH10
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

NPN晶体管RF NPN RF Transistor

RF Transistor NPN 25V 50mA 650MHz 350mW Through Hole TO-92-3


得捷:
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR


贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN/ 25V/ 50mA


艾睿:
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk


FPNH10中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 50.0 mA

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 25 V

最小电流放大倍数hFE 60 @4mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 60 @4mA, 10V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.7 mm

宽度 3.93 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FPNH10引脚图与封装图
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