额定电压DC 40.0 V
额定电流 100 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-523
长度 1.7 mm
宽度 0.98 mm
高度 0.78 mm
封装 SOT-523
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FJY3002R | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJY3002R 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FJY3002R 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT523F NPN 40V 100mA 200mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJY3002R 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE | 当前型号 | |
型号: MUN5235T1G 品牌: 安森美 封装: SOT-323 N-Channel 50V 100mA 310mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MUN5235T1G 晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q100, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率, SOT-323 新 | FJY3002R和MUN5235T1G的区别 | |
型号: DTC123EM3T5G 品牌: 安森美 封装: SOT-723-3 NPN 50V 100mA 600mW | 功能相似 | NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | FJY3002R和DTC123EM3T5G的区别 | |
型号: PDTC123JU,115 品牌: 安世 封装: | 功能相似 | NXP PDTC123JU,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 UMT封装 | FJY3002R和PDTC123JU,115的区别 |