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FJZ594JTF
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FJZ594JTF N沟道MOSFET 1A SOT-323/SC-70 marking/标记 JT 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20v 最大漏极电流Id Drain Current| 1A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| -1.5 耗散功率Pd Power Dissipation| 100mW/0.1W Description & Applications| Si N-channel Junction FET • Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones • Excellent Voltage Characteristic • Excellent Transient Characteristic 描述与应用| N沟道结型场效应管 特别适合用于音频,电话电容话筒 •优秀的电压特性 •出色的瞬态特性


贸泽:
JFET Si N-Ch Junction FET


艾睿:
Trans JFET N-CH 1mA 3-Pin SOT-623F T/R


Win Source:
JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F


FJZ594JTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 1.00 mA

极性 N-Channel

耗散功率 100 mW

漏源极电压Vds 20.0 V

连续漏极电流Ids 1.00 mA

击穿电压 20 V

输入电容Ciss 3.5pF @5VVds

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-623

外形尺寸

高度 0.6 mm

封装 SOT-623

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FJZ594JTF引脚图与封装图
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