额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FJV4104RMTF | Fairchild 飞兆/仙童 | 1个PNP-预偏置 100mA 50V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FJV4104RMTF 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23 PNP -50V -100mA 200mW | 当前型号 | 1个PNP-预偏置 100mA 50V | 当前型号 | |
型号: DDTA144ECA-7 品牌: 美台 封装: SOT-23-3 PNP 50V 100mA | 类似代替 | 特点 •PNP预偏置小信号SOT.. | FJV4104RMTF和DDTA144ECA-7的区别 | |
型号: MMUN2113LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 PNP -50V -100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMUN2113LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SOT-23 | FJV4104RMTF和MMUN2113LT1G的区别 | |
型号: DTA144EKAT146 品牌: 罗姆半导体 封装: SMT PNP -50V -30mA 200mW | 功能相似 | PNP 晶体管,ROHM ### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available. | FJV4104RMTF和DTA144EKAT146的区别 |