频率 100 MHz
额定电压DC 120 V
额定电流 50.0 mA
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 120 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 1200
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.04 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FJV1845PMTF | Fairchild 飞兆/仙童 | FJV1845 系列 120 V 50 mA 表面贴装 NPN 外延 硅 晶体管 - SOT-23-3 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FJV1845PMTF 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23 NPN 120V 50mA 300mW | 当前型号 | FJV1845 系列 120 V 50 mA 表面贴装 NPN 外延 硅 晶体管 - SOT-23-3 | 当前型号 | |
型号: FJV1845EMTF 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 NPN 120V 50mA 300mW | 类似代替 | 小信号 NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | FJV1845PMTF和FJV1845EMTF的区别 | |
型号: FJV1845UMTF 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 NPN | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 3Pin SOT-23 T/R | FJV1845PMTF和FJV1845UMTF的区别 | |
型号: FJV1845 品牌: 飞兆/仙童 封装: | 类似代替 | NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor | FJV1845PMTF和FJV1845的区别 |