FZ800R33KL2CB5NOSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
击穿电压集电极-发射极 3300 V
输入电容Cies 97nF @25V
额定功率Max 9800 W
封装 Module
封装 Module
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FZ800R33KL2CB5NOSA1 | Infineon 英飞凌 | 3300V IHV 130mm single switch IGBT Module with IGBT2 and 10.2kV isolation - The best solution for your traction and i... | 搜索库存 |