FZ1200R33KL2CB5NOSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
FZ1200R33KL2CB5NOSA1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 3300 V
输入电容Cies 145nF @25V
额定功率Max 14500 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 14500000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 Module
外形尺寸
封装 Module
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
FZ1200R33KL2CB5NOSA1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FZ1200R33KL2CB5NOSA1 | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Module N-CH 3300V 2.3kA 14500000mW | 搜索库存 |