额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FJV3102RMTF | Fairchild 飞兆/仙童 | 集成电路 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FJV3102RMTF 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23 NPN 50V 100mA 200mW | 当前型号 | 集成电路 | 当前型号 | |
型号: DDTC114ECA-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-23-3 NPN 50V 100mA 200mW | 完全替代 | DDTC114CA 系列 NPN 50 V 100 mA 数字 晶体管 表面贴装 - SOT-23-3 | FJV3102RMTF和DDTC114ECA-7-F的区别 | |
型号: PDTC114ET@215 品牌: 恩智浦 封装: NPN | 类似代替 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin TO-236AB T/R | FJV3102RMTF和PDTC114ET@215的区别 |