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FPF1C2P5MF07AM

FPF1C2P5MF07AM

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FPF1C2P5MF07AM  晶体管, IGBT/场效应管, MOSFET, IPM, 231W, 39A, 620V

IGBT Module Full Bridge Inverter 620 V 39 A 231 W Chassis Mount F1


得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO


艾睿:
650V 30A DC/AC HIGH POWER MOD


FPF1C2P5MF07AM中文资料参数规格
技术参数

隔离电压 2.5 kV

击穿电压集电极-发射极 60 V

额定功率Max 231 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 24

封装 F1 Module

外形尺寸

高度 12 mm

封装 F1 Module

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FPF1C2P5MF07AM引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FPF1C2P5MF07AM Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FPF1C2P5MF07AM  晶体管, IGBT/场效应管, MOSFET, IPM, 231W, 39A, 620V 搜索库存