FJV3104RMTF
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FJV3104RMTF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 68
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FJV3104RMTF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FJV3104RMTF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FJV3104RMTF | Fairchild 飞兆/仙童 | Fairchild Semiconductor ### 数字晶体管，Fairchild Semiconductor 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | 搜索库存 |
替代型号FJV3104RMTF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FJV3104RMTF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 NPN 50V 100mA | 当前型号 | Fairchild Semiconductor### 数字晶体管，Fairchild Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | 当前型号 |
| 型号： MMUN2213LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 50V 100mA 400mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMUN2213LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SOT-23 | FJV3104RMTF和MMUN2213LT1G的区别 |
| 型号： MUN2213T1G 品牌： 安森美 封装： SC-59 NPN 50V 100mA 338mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MUN2213T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-59 | FJV3104RMTF和MUN2213T1G的区别 |
| 型号： DDTC144ECA-7 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 NPN 50V 100mA | 功能相似 | TRANS PREBIAS NPN 200mW SOT23-3 | FJV3104RMTF和DDTC144ECA-7的区别 |