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FGA90N33ATDTU

FGA90N33ATDTU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 3Pin3+Tab TO-3PN Tube

General Description

Using Novel Trench IGBT Technology, ’s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses areessential.

Features

• High current capability

• Low saturation voltage: VCEsat =1.1V @ IC= 20A

• High input impedance

• Fast switching

• RoHS compliant

Applications

• PDP System

FGA90N33ATDTU中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 223000 mW

击穿电压集电极-发射极 330 V

反向恢复时间 23 ns

额定功率Max 223 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 223000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

高度 18.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FGA90N33ATDTU引脚图与封装图
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