FGA15N120ANTDTU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FGA15N120ANTDTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.20 kV
额定电流 15.0 A
耗散功率 186000 mW
漏源击穿电压 1.20 kV
连续漏极电流Ids 15.0 A
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 330 ns
额定功率Max 186 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 186000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
高度 19.9 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FGA15N120ANTDTU引脚图与封装图
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在线购买FGA15N120ANTDTU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FGA15N120ANTDTU | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 186000mW 3Pin3+Tab TO-3P Rail | 搜索库存 |
替代型号FGA15N120ANTDTU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FGA15N120ANTDTU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 1.2kV 15A 186000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 186000mW 3Pin3+Tab TO-3P Rail | 当前型号 |
| 型号： FGA15N120ANTDTU_F109 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-3P 186000mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGA15N120ANTDTU_F109 单晶体管, IGBT, 30 A, 2.3 V, 186 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 引脚 | FGA15N120ANTDTU和FGA15N120ANTDTU_F109的区别 |
| 型号： FGA15N120ANTD 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 1200V NPT沟道IGBT 1200V NPT Trench IGBT | FGA15N120ANTDTU和FGA15N120ANTD的区别 |